Número de Producto del Fabricante:
BUZ32 H
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BUZ32 H-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12801500
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ENVIAR
BUZ32 H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
BUZ32 H-DG
BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF630
FABRICANTE
Harris Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
11535
NÚMERO DE PIEZA
IRF630-DG
PRECIO UNITARIO
0.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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